电工电子题1？

反向击穿是指在半导体器件（如二极管或晶体管）的反向电压达到一定值时，电流突然大幅度增加的现象。其特征表现包括：

在正向偏置时，器件的电流较小，反向电阻较大；在反向偏置时，器件的电流突然增加，反向电阻急剧降低。

反向击穿电流一般较大，可能会超过器件的额定电流，导致器件过载损坏。

反向击穿电压一般较低，可能会低于器件的额定反向电压，导致器件失效。

反向击穿会产生热效应，导致器件局部温度升高，可能会导致器件结构和性能发生不可逆的变化。

反向击穿还可能会产生噪声和电磁干扰，影响整个电路的正常工作。

因此，在电路设计和应用中，需要避免反向击穿的发生，采取相应的保护措施和设计方案。例如，选择适当的器件和电路拓扑结构，采用反向电压保护器件、限流电阻等保护元件，以及合理地控制电路参数和工作条件等。