GaAs的基本性质

砷化镓（GaAs）是一种由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物半导体，呈现为黑灰色固体，其熔点高达1238℃。在600℃以下的环境中，砷化镓能在空气中保持稳定，并且不会被非氧化性酸侵蚀。作为一种优秀的半导体材料，砷化镓具有电子迁移率高的特点，其介电常数相对较小，能够引入深能级杂质，并且具有较小的电子有效质量以及独特的能带结构。这些特性使其适用于制造太阳能电池和激光外延片。

砷化镓因其光电特性和高速传输能力，被广泛应用于制造射频元件，这些元件要求工作频率高、功率消耗低和杂讯小。因此，砷化镓常用于制作光电元件和高频通讯设备。在微波通讯领域，砷化镓的应用包括WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS和VSAT等技术。

然而，砷化镓材料的一个缺点是成本较高，而且其制造过程中使用的设备和硅制程设备不同，这可能会对生产成本产生影响。